一、工作原理

　　热电阻温度计基于金属或半导体材料的电阻值随温度变化的特性实现测温。其核心公式为Rt=R₀[1+α(t-t₀)]，其中Rt为温度t时的电阻值，R₀为参考温度t₀（通常为0℃）时的电阻值，α为电阻温度系数。当温度升高时，金属导体中自由电子的热运动加剧，导致电阻增大；而半导体材料因载流子浓度变化，电阻变化更为显著。

　　工业中常用三线制或四线制接线方式消除导线电阻误差。三线制通过将两根导线接入相邻电桥臂，利用环境温度变化对两根导线电阻的等效影响实现误差抵消；四线制则通过恒流源供电，直接测量电压降，消除引线电阻干扰。

　　二、材料特性

　　铂（Pt）：电阻温度系数稳定（3.9×10⁻³/℃），在氧化性介质中化学稳定性优异，适用于-200℃至850℃范围，但高纯铂丝成本高且高温下易脆化。

　　铜（Cu）：电阻温度系数较大（4.25×10⁻³/℃），-50℃至150℃范围内线性度好，成本低，但易氧化，需在无腐蚀性环境中使用。

　　镍（Ni）：温度系数适中（6.7×10⁻³/℃），-60℃至180℃范围内性能稳定，但存在非线性误差，需通过分度表校正。

　　半导体热敏电阻：如NTC（负温度系数）材料，温度系数高达-3%至-6%/℃，响应速度快，但互换性差，非线性严重，测温范围限制在-50℃至300℃。

　　三、技术对比

　　铂电阻精度高（±0.05℃），适用于精密测量；铜电阻成本低，适用于低温场景；镍电阻平衡了成本与性能；热敏电阻则以高灵敏度见长，但需配套线性化电路。实际应用中需根据温度范围、精度要求及环境条件选择材料与结构。